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厂商型号

BSS214NW L6327 

产品描述

MOSFET OptiMOS 2 Sm-Signal Transistor N-CH

内部编号

173-BSS214NW-L6327

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

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BSS214NW L6327产品详细规格

规格书 BSS214NW L6327 datasheet 规格书
BSS214NW
文档 Multiple Devices 30/Nov/2011
产品更改通知 Product Discontinuation 30/Nov/2011
标准包装 3,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 20V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 1.5A
Rds(最大)@ ID,VGS 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V
VGS(TH)(最大)@ Id 1.2V @ 3.7µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 0.8nC @ 5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 143pF @ 10V
功率 - 最大 500mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 SC-70, SOT-323
供应商器件封装 PG-SOT323-3
包装材料 Tape & Reel (TR);;其他的名称;
产品种类 MOSFET
RoHS RoHS Compliant
晶体管极性 N-Channel
漏源击穿电压 20 V
源极击穿电压 +/- 12 V
连续漏极电流 1.5 A
抗漏源极RDS ( ON) 140 mOhms
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装/外壳 SOT-23-3
封装 Reel
下降时间 7.8 ns
最低工作温度 - 55 C
功率耗散 500 mW
上升时间 7.8 ns
工厂包装数量 3000
典型关闭延迟时间 6.8 ns
零件号别名 BSS214NWL6327HTMA1 BSS214NWL6327XT SP000440880
寿命 Obsolete
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 1.5A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 1.2V @ 3.7µA
漏极至源极电压(Vdss) 20V
标准包装 3,000
供应商设备封装 PG-SOT323-3
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 500mW
输入电容(Ciss ) @ VDS 143pF @ 10V
其他名称 SP000440880
闸电荷(Qg ) @ VGS 0.8nC @ 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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    010-62165661
    010-62168837
    15810325240
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